Qualcomm tuyên bố, phiên bản công nghệ sạc nhanh mới nhất sẽ giúp sạc thiết bị di động nhanh hơn 20% và hiệu quả hơn 30% so với thế hệ trước đó, vốn đang được ứng dụng cho một số lượng nhỏ các mẫu điện thoại flagship chạy hệ điều hành Android. Công nghệ mới này vì vậy sẽ giúp một chiếc smartphone kích cỡ trung bình, sở hữu pin 2.750mAh nạp đủ năng lượng dùng trong 5 giờ chỉ sau 5 phút sạc, hay pin sẽ đầy 50% sau 15 phút sạc.

Quan trọng hơn, theo Qualcomm, công nghệ mới còn tương thích với các thiết bị dùng chuẩn USB-C và USB Power Delivery (công nghệ truyền tải điện qua USB) do Google và cơ quan định chuẩn USB đặt ra.

Đối với nhiều người, đây không phải là đột phá lớn, song thông tin về nó được đưa ra chỉ một tuần sau khi Google cảnh báo các nhà sản xuất không nên sử dụng công nghệ sạc độc quyền (“Vbus”) mà các thiết bị được trang bị Quick Charge hiện thời đang dùng, do các lo ngại về độ an toàn và tính tương thích.

Theo Qualcomm, với Quick Charge 4.0, người dùng có thể sạc nhanh với nhiều cáp hơn trong khi giảm thiểu được nguy cơ khiến máy rơi vào tình trạng dễ cháy nổ như Samsung Galaxy Note 7. Công ty tiết lộ, công nghệ mới sẽ chỉ được hỗ trợ ở những thiết bị dùng các vi xử lý Snapdragon. Vì vậy, chúng ta vẫn còn phải chờ kiểm nghiệm xem các tuyên bố của Qualcomm có đúng hay không.

Bản cập nhật công nghệ Quick Charge trình làng cùng với sản phẩm flagship mới nhất trong dòng vi xử lý di động Snapdragon phổ biến của hãng - Snapdragon 835. Mặc dù Qualcomm vẫn chưa tiết lộ chính xác những gì có bên trong vi xử lý thế hệ tiếp theo, nhưng công ty xác nhận đang bắt tay với Samsung sản xuất Snapdragon 835 và họ sẽ sử dụng quy trình FinFET 10nm của đại gia công nghệ Hàn Quốc này.

Điều đó cũng đồng nghĩa, Snapdragon 835 sẽ có kích thước nhỏ hơn các vi xử lý tiền nhiệm Snapdragon 820 và 821, vốn sở hữu kích cỡ 14nm, đồng thời tăng hiệu năng sử dụng. Qualcomm nói, kích thước mảnh mai hơn sẽ giúp các nhà sản xuất chế tạo các thiết bị di động mỏng hơn hoặc thêm không gian để trang bị pin lớn hơn cho máy. Snapdragon 835 được kỳ vọng sẽ xuất hiện trong các smartphone cao cấp hơn vào nửa đầu năm 2017.

Tuấn Anh(theo BI)

Qualcomm vừa công bố công nghệ sạc nhanh phiên bản mới nhất của hãng, có tên Quick Charge 4.0, giúp smartphone chỉ cần sạc 5 phút đã có pin đủ dùng tới 5 tiếng đồng hồ.

Qualcomm tuyên bố, phiên bản công nghệ sạc nhanh mới nhất sẽ giúp sạc thiết bị di động nhanh hơn 20% và hiệu quả hơn 30% so với thế hệ trước đó, vốn đang được ứng dụng cho một số lượng nhỏ các mẫu điện thoại flagship chạy hệ điều hành Android. Công nghệ mới này vì vậy sẽ giúp một chiếc smartphone kích cỡ trung bình, sở hữu pin 2.750mAh nạp đủ năng lượng dùng trong 5 giờ chỉ sau 5 phút sạc, hay pin sẽ đầy 50% sau 15 phút sạc.

Quan trọng hơn, theo Qualcomm, công nghệ mới còn tương thích với các thiết bị dùng chuẩn USB-C và USB Power Delivery (công nghệ truyền tải điện qua USB) do Google và cơ quan định chuẩn USB đặt ra.

Đối với nhiều người, đây không phải là đột phá lớn, song thông tin về nó được đưa ra chỉ một tuần sau khi Google cảnh báo các nhà sản xuất không nên sử dụng công nghệ sạc độc quyền (“Vbus”) mà các thiết bị được trang bị Quick Charge hiện thời đang dùng, do các lo ngại về độ an toàn và tính tương thích.

Theo Qualcomm, với Quick Charge 4.0, người dùng có thể sạc nhanh với nhiều cáp hơn trong khi giảm thiểu được nguy cơ khiến máy rơi vào tình trạng dễ cháy nổ như Samsung Galaxy Note 7. Công ty tiết lộ, công nghệ mới sẽ chỉ được hỗ trợ ở những thiết bị dùng các vi xử lý Snapdragon. Vì vậy, chúng ta vẫn còn phải chờ kiểm nghiệm xem các tuyên bố của Qualcomm có đúng hay không.

Bản cập nhật công nghệ Quick Charge trình làng cùng với sản phẩm flagship mới nhất trong dòng vi xử lý di động Snapdragon phổ biến của hãng - Snapdragon 835. Mặc dù Qualcomm vẫn chưa tiết lộ chính xác những gì có bên trong vi xử lý thế hệ tiếp theo, nhưng công ty xác nhận đang bắt tay với Samsung sản xuất Snapdragon 835 và họ sẽ sử dụng quy trình FinFET 10nm của đại gia công nghệ Hàn Quốc này.

Điều đó cũng đồng nghĩa, Snapdragon 835 sẽ có kích thước nhỏ hơn các vi xử lý tiền nhiệm Snapdragon 820 và 821, vốn sở hữu kích cỡ 14nm, đồng thời tăng hiệu năng sử dụng. Qualcomm nói, kích thước mảnh mai hơn sẽ giúp các nhà sản xuất chế tạo các thiết bị di động mỏng hơn hoặc thêm không gian để trang bị pin lớn hơn cho máy. Snapdragon 835 được kỳ vọng sẽ xuất hiện trong các smartphone cao cấp hơn vào nửa đầu năm 2017.

Tuấn Anh(theo BI)

TOP500, tổ chức chuyên xếp hạng siêu máy tính mạnh nhất thế giới, vừa công bố danh sách top 10 siêu máy tính mạnh nhất thế giới. Trung Quốc chiếm giữ hai vị trí cao nhất trong danh sách này.

Vị trị quán quân thuộc về siêu máy tính TalhuLight đặt tại Trung tâm Siêu máy tính Quốc gia tại tỉnh Giang Tô, Trung Quốc có sức mạnh tính toán đạt 93,01 petaflop.

Đứng vị trí thứ hai là Tianhe-2, hiện đang đặt tại Trung tâm Siêu máy tính Quốc gia tại tỉnh Quảng Đông, Trung Quốc có sức mạnh tính toán đạt 33,86 petaflop.

Mỹ có 3 siêu máy tính xếp ở các vị trí tiếp theo nhưng sức mạnh tính toán rõ ràng kém xa các cỗ máy của Trung Quốc.

Danh sách top 10 siêu máy tính mạnh nhất thế giới như sau:

1. TaihuLight, Sunway MPP, SW26010, Trung tâm Siêu máy tính Quốc gia tại tỉnh Giang Tô, Trung Quốc — 10,6 triệu lõi xử lý, sức mạnh: 93,01 petaflop

2. Tianhe-2, TH-IVB-FEP Cluster, Trung tâm Siêu máy tính Quốc gia tại tỉnh Giang Tô, Trung Quốc— 3,12 lõi xử lý, sức mạnh: 33,86 petaflop.

3. Titan, Cray XK7 system, Phòng thí nghiệm Quốc gia Oak Ridge, Bộ Năng lượng Hoa Kỳ — sức mạnh: 17,59 petaflop.

4. Sequoia, IBM BlueGene/Q system, Phòng thí nghiệm Quốc gia Lawrence Livermore, California, Bộ Năng lượng Hoa Kỳ — sức mạnh: 16,32 peraflop.

5. Cori, Cray XC40, Phòng thí nghiệm Berkeley, Trung tâm Điện toán Nghiên cứu Khoa học Năng lượng Quốc gia Hoa Kỳ (NERSC) — sức mạnh: 14 petaflop

6. Oakforest-PACS, Fujitsu Primergy CX1640 M1 cluster, Trung tâm Liên kết Điện toán Hiệu suất cao Cao cấp, Nhật Bản — sức mạnh: 13,6 petaflop.

7. K Computer, hệ thống SPARC64 với 705.000 lõi xử lý, Viện Khoa học Điện toán Cao cấp RIKEN, Nhật Bản — sức mạnh: 10,5 petaflop.

8. Piz Daint, Cray XC30 dùng 116.000 lõi xử lý của Xeon và Nvidia, Trung tâm Điện toán Quốc gia Thụy Sĩ — sức mạnh: 9,8 petaflop

9. Mira, IBM BlueGene/Q, U.S. DOE/SC/Phòng thí nghiệm Quốc gia Argonne, Mỹ — sức mạnh: 8,6 petaflop.

10. Trinity, Cray XC40, U.S. DOE/NNSA/LANL/SNL, Mỹ —301.056 lõi xử lý, sức mạnh: 8,1 petaflop.

Nguyễn Minh(theo DigitalTrends)

Vượt mặt cả Mỹ, Trung Quốc hiện đang là thế lực siêu máy tính đáng gờm nhất thế giới. Tuy có số lượng không nhiều nhưng siêu máy tính của Trung Quốc có năng lực xử lý vượt trội hơn tất cả.

TOP500, tổ chức chuyên xếp hạng siêu máy tính mạnh nhất thế giới, vừa công bố danh sách top 10 siêu máy tính mạnh nhất thế giới. Trung Quốc chiếm giữ hai vị trí cao nhất trong danh sách này.

Vị trị quán quân thuộc về siêu máy tính TalhuLight đặt tại Trung tâm Siêu máy tính Quốc gia tại tỉnh Giang Tô, Trung Quốc có sức mạnh tính toán đạt 93,01 petaflop.

Đứng vị trí thứ hai là Tianhe-2, hiện đang đặt tại Trung tâm Siêu máy tính Quốc gia tại tỉnh Quảng Đông, Trung Quốc có sức mạnh tính toán đạt 33,86 petaflop.

Mỹ có 3 siêu máy tính xếp ở các vị trí tiếp theo nhưng sức mạnh tính toán rõ ràng kém xa các cỗ máy của Trung Quốc.

Danh sách top 10 siêu máy tính mạnh nhất thế giới như sau:

1. TaihuLight, Sunway MPP, SW26010, Trung tâm Siêu máy tính Quốc gia tại tỉnh Giang Tô, Trung Quốc — 10,6 triệu lõi xử lý, sức mạnh: 93,01 petaflop

2. Tianhe-2, TH-IVB-FEP Cluster, Trung tâm Siêu máy tính Quốc gia tại tỉnh Giang Tô, Trung Quốc— 3,12 lõi xử lý, sức mạnh: 33,86 petaflop.

3. Titan, Cray XK7 system, Phòng thí nghiệm Quốc gia Oak Ridge, Bộ Năng lượng Hoa Kỳ — sức mạnh: 17,59 petaflop.

4. Sequoia, IBM BlueGene/Q system, Phòng thí nghiệm Quốc gia Lawrence Livermore, California, Bộ Năng lượng Hoa Kỳ — sức mạnh: 16,32 peraflop.

5. Cori, Cray XC40, Phòng thí nghiệm Berkeley, Trung tâm Điện toán Nghiên cứu Khoa học Năng lượng Quốc gia Hoa Kỳ (NERSC) — sức mạnh: 14 petaflop

6. Oakforest-PACS, Fujitsu Primergy CX1640 M1 cluster, Trung tâm Liên kết Điện toán Hiệu suất cao Cao cấp, Nhật Bản — sức mạnh: 13,6 petaflop.

7. K Computer, hệ thống SPARC64 với 705.000 lõi xử lý, Viện Khoa học Điện toán Cao cấp RIKEN, Nhật Bản — sức mạnh: 10,5 petaflop.

8. Piz Daint, Cray XC30 dùng 116.000 lõi xử lý của Xeon và Nvidia, Trung tâm Điện toán Quốc gia Thụy Sĩ — sức mạnh: 9,8 petaflop

9. Mira, IBM BlueGene/Q, U.S. DOE/SC/Phòng thí nghiệm Quốc gia Argonne, Mỹ — sức mạnh: 8,6 petaflop.

10. Trinity, Cray XC40, U.S. DOE/NNSA/LANL/SNL, Mỹ —301.056 lõi xử lý, sức mạnh: 8,1 petaflop.

Nguyễn Minh(theo DigitalTrends)

Ngày quốc tế phụ nữ 8/3 luôn là sự kiện đặc biệt trong năm, đây cũng là điều dễ hiểu khi phụ nữ đang ngày càng thể hiện vai trò quan trọng của mình trong xã hội hiện đại. Điều đáng chú ý rằng mới đây, NPH VTC Mobile đã dành tặng hẳn chiếc iPhone 6S giá trị cho các nhân viên nữ trong ngày 8/3 này.